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Investigadora de la USP desarrolla una innovadora memoria de computadora utilizando grafeno

Escrito por Valdemar Medeiros
Publicado el 01/02/2023 a las 12:48
Pesquisadora da USP desenvolve inovadora memória de computador utilizando grafeno
Foto: USP/Divulgação
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La investigadora Marina Sparvoli, desarrolló una memoria de computadora que podrá revolucionar el mercado de tecnología. El nuevo descubrimiento utiliza grafeno y ofrece diversos beneficios.

Una investigadora de la Universidad de São Paulo (USP) desarrolló una técnica innovadora para la producción de memristores, componentes electrónicos esenciales para la computación neurofórmica, que imita el cerebro, y para computadoras que no pierden datos ante la falta de energía. Marina Sparvoli y sus colegas de la USP desarrollaron un mecanismo de memoria de computadora basado en los memristores mediante materiales nunca combinados antes con este objetivo, creando una memoria Resistiva (ReRAM) utilizando grafeno.

Investigadora Utiliza Grafeno en Memoria de Computadora

La nueva arquitectura de memristor consiste en una capa de grafeno depositada entre los contactos de oxinitreto de indio-estano (ITON), envuelto en una cubierta de aluminio.

La energía pasa por el componente generando un campo electromagnético, dependiendo de la tensión, se forma o no un filamento que actúa en el fenómeno de conmutación resistiva, es decir, el componente cambia entre un comportamiento de baja resistencia al paso de corriente eléctrica y otro de alta resistencia.

El prototipo consiste en una capa de grafeno depositada entre contactos de indium tin oxynitride (Iton) – un semiconductor aún poco investigado – y de aluminio, como un sándwich – Fuente: Jornal Da USP

Otra ventaja de la memoria de computadora con grafeno es que el sándwich de semiconductores entero es transparente, permitiendo su uso en arquitecturas electrónicas cerca de la superficie de las pantallas de los dispositivos, mitigando aún más el espacio ocupado, haciendo que la miniaturización sea más sencilla.

El material, conocido como (ITON), es un semiconductor aún poco conocido entre los investigadores, siendo una variación del óxido de indio y estaño, responsable del funcionamiento de pantallas táctiles. La investigadora de la USP destaca que la innovación está en utilizarlo con nitrógeno.

Ventaja de la Memoria Resistiva con Grafeno

A pesar de que su teoría surgió por primera vez en la década de los 70, por el filipino Leon Ong Chua, las memorias resistivas solo comenzaron a ser probadas en 2008, con la confirmación práctica del funcionamiento de este cuarto componente electrónico esencial, el memristor.

El gran beneficio de esta nueva tecnología de la investigadora de la USP es que, a diferencia de las memorias electrónicas actuales, la información contenida en las memorias resistivas no desaparece cuando el aparato se apaga. Sin embargo, a pesar del intenso esfuerzo de investigación en el sector, aún no existen computadoras con este tipo de tecnología.

Cuando se enciende una computadora común, el sistema operativo, que puede ser Windows, Linux o MAC OS, se copia del dispositivo de almacenamiento definitivo, que es más lento, a la memoria RAM, que es mucho más rápida.

Este proceso es lento, sin embargo, con el uso de las memorias ReRAM, podrá ser dispensado. Además, los memristores son minúsculos, contando con pocas centenas de átomos de espesor, y pueden actuar como conexiones neuronales biológicas. Estos son una especie de neurona artificial, con capacidad para imitar las sinapsis.

Entiende Cómo la Nueva Memoria de Computadora de Grafeno Actúa

Este tipo de memoria desarrollado por la investigadora de la USP actúa con estados de resistencia alta y baja, que corresponden al código binario del lenguaje de máquina, 0 y 1. En las computadoras comunes, esta escritura se representa no por la resistencia, sino por las tensiones (V) baja, alta y apagada (0), o encendida (1).

Los filamentos de los memristores cuya resistencia se altera están en la escala de nanómetros, prometiendo una infinidad de informaciones guardadas en un espacio de almacenamiento minúsculo.

De acuerdo con un jefe del laboratorio de la USP, profesor José Chubaci, este es un proyecto en la frontera del conocimiento mundial, que podría ser utilizado en el mercado internacional dentro de 10, 15 o 20 años. Marina logró generar memorias resistivas utilizando grafeno con el ITON, el óxido de indio-estano con dopaje de nitrógeno, expandiendo el espacio de investigación en el sector.

Fuente: Jornal da USP

Valdemar Medeiros

Formado em Jornalismo e Marketing, é autor de mais de 20 mil artigos que já alcançaram milhões de leitores no Brasil e no exterior. Já escreveu para marcas e veículos como 99, Natura, O Boticário, CPG – Click Petróleo e Gás, Agência Raccon e outros. Especialista em Indústria Automotiva, Tecnologia, Carreiras (empregabilidade e cursos), Economia e outros temas. Contato e sugestões de pauta: valdemarmedeiros4@gmail.com. Não aceitamos currículos!

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