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Investigador de la USP desarrolla innovadora memoria para computadora con grafeno

1 de febrero de 2023 a 12: 48
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Investigador de la USP desarrolla innovadora memoria para computadora con grafeno
Foto: USP/Divulgación

La investigadora Marina Sparvoli ha desarrollado una memoria informática que podría revolucionar el mercado tecnológico. El nuevo descubrimiento utiliza grafeno y ofrece varios beneficios.

Un investigador de Universidade De São Paulo (USP) desarrolló una técnica innovadora para la producción de memristores, componentes electrónicos esenciales para la computación neurofórmica, que imita al cerebro, y para computadoras que no pierden datos en ausencia de energía. Marina Sparvoli y sus colegas de la USP desarrollaron un mecanismo para memoria del ordenador basado en memristores a través de materiales nunca antes combinados con este objetivo, creando una memoria Resistiva (ReRAM) utilizando grafeno.

Investigador usa grafeno en memoria de computadora

La nueva arquitectura memristor consta de una capa de grafeno depositado entre contactos de oxinitruro de indio y estaño (ITON), envuelto en una cubierta de aluminio.

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La energía atraviesa el componente generando un campo electromagnético, dependiendo del voltaje, forma o no un filamento que actúa en el fenómeno de conmutación resistiva, es decir, el componente cambia entre un comportamiento de baja resistencia al paso de corriente eléctrica y otro de alta resistencia.

El prototipo consiste en una capa de grafeno depositada entre contactos de oxinitruro de indio y estaño (Iton) –un semiconductor aún poco investigado– y aluminio, como un sándwich – Fuente: Jornal Da USP

Otra ventaja memoria de computadora con grafeno es que todo el sándwich de semiconductores es transparente, lo que permite su uso en arquitecturas electrónicas cerca de la superficie de las pantallas de los dispositivos, mitigando aún más el espacio ocupado, haciendo que la miniaturización sea algo más sencilla.

El material, conocido como (ITON), es un semiconductor aún poco conocido entre los investigadores, siendo una variación del óxido de indio y estaño, responsable del funcionamiento de las pantallas táctiles. A investigador en la USP señala que la innovación está en utilizarlo con nitrógeno.

Ventaja de la memoria resistiva con grafeno

Aunque su teoría surgió por primera vez en la década de 70, por el filipino León Ong Chua, las memorias resistivas recién comenzaron a probarse en 2008, con la confirmación práctica del funcionamiento de este cuarto componente electrónico esencial, el memristor.

El gran beneficio de esta nueva tecnología del investigador de la USP es que, a diferencia de las memorias electrónicas actuales, la información contenida en las memorias resistivas no desaparece cuando se apaga el dispositivo. Sin embargo, a pesar del intenso esfuerzo investigador en el sector, todavía no existen ordenadores con este tipo de tecnología.

Cuando se enciende una computadora normal, el sistema operativo, que puede ser Windows, Linux o MAC OS, se copia del dispositivo de almacenamiento permanente, que es más lento, a la memoria RAM, que es mucho más rápida.

Este proceso requiere mucho tiempo, sin embargo, con el uso de memorias ReRAM, se puede prescindir de él. Además, los memristores son diminutos, de unos pocos cientos de átomos de espesor, y pueden actuar como conexiones neuronales biológicas. Se trata de una especie de neurona artificial, con la capacidad de imitar las sinapsis.

Entiende cómo funciona la nueva memoria de computadora de grafeno

Este tipo de memoria desarrollada por el investigador de la USP opera con estados de alta y baja resistencia, que corresponden al código binario del lenguaje máquina, 0 y 1. En las computadoras ordinarias, esta escritura no se representa por resistencia, sino por voltajes (V ) bajo, alto y apagado (0), o encendido (1).

Los filamentos de memristores cuyos cambios de resistencia están en la escala de nanómetros, prometiendo una infinidad de información guardada en un diminuto espacio de almacenamiento.

Según un responsable del laboratorio de la USP, el profesor José Chubaci, se trata de un proyecto en la frontera del conocimiento mundial, que podrá ser utilizado en el mercado internacional en 10, 15 o 20 años. Marina pudo generar memorias resistivas utilizando grafeno con ITON, el óxido de indio y estaño dopado con nitrógeno, ampliando el espacio de investigación en el sector.

fuente: Revista de la USP

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