Portugués 
Inglés 
Español 
3 min de lectura 
0 comentarios 
China Acaba de Anunciar un Avance Significativo en la Industria de Semiconductores: un Nuevo Transistor 2D que Puede Aumentar la Velocidad de los Procesadores en Hasta un 40% y Reducir el Consumo Energético en un 10%
Investigadores chinos anunciaron un avance tecnológico que puede cambiar el rumbo de la industria de semiconductores. Un nuevo transistor 2D, sin silicio, fue desarrollado en China y promete un rendimiento hasta un 40% superior al de los chips actuales, con un 10% menos de consumo de energía.
La información fue divulgada por el South China Morning Post (SCMP), con base en un estudio publicado en la revista Nature.
Un Cambio de Dirección
El transistor innovador fue creado por un equipo liderado por el profesor Hailin Peng, de la Universidad de Pekín (PKU).
-
Asustada por la rapidez de los fabricantes chinos, Renault decidió copiar el ritmo, hizo el nuevo Twingo eléctrico en solo 21 meses, quiere repetir la hazaña en 36 modelos hasta 2030 y, en el camino, va a recortar hasta 2.400 puestos de ingeniería.
-
Incidente con tecnecio-99m en el Ipen llama la atención en Brasil y revela el trasfondo poco conocido del radiofármaco que sale de São Paulo para abastecer 2 millones de exámenes médicos al año.
-
Los océanos han estado absorbiendo el 90% del calor atrapado en la Tierra y manteniendo lo peor de los impactos lejos de la superficie; los científicos advierten que este reservorio invisible tiene un límite y lo que se escapa de él ya afecta playas, glaciares y comunidades enteras.
-
Científicos descubren que inundaciones y sequías esparcidas por el mundo afectan algo invisible que sostiene a cada persona en el suelo; la redistribución de agua durante eventos climáticos llega a alterar la propia gravedad de la Tierra.
Según Peng, esta tecnología representa más que un avance incremental. Comparó la innovación con un cambio completo de carril en la carretera del desarrollo de chips. “Si las innovaciones en chips basadas en materiales existentes son consideradas un ‘atajo’, entonces nuestro desarrollo de transistores basados en materiales 2D es similar a ‘cambiar de carril’”, dijo al SCMP.
La Estructura del Nuevo Transistor
El transistor desarrollado es del tipo GAAFET (transistor de efecto de campo con puerta total). A diferencia del tradicional FinFET — que involucra la fuente del transistor por tres lados — el GAAFET envuelve completamente la fuente con la puerta en cuatro lados. Esto mejora el control electrostático y permite una corriente más fuerte y rápida.
En la práctica, el transistor funciona como un interruptor electrónico. Posee tres partes principales: la fuente, la puerta y el drenaje.
La puerta es el elemento que controla el flujo de corriente eléctrica entre la fuente y el drenaje. En el nuevo diseño, la puerta envuelve toda la fuente, aumentando el control y reduciendo pérdidas por electricidad estática. Esto resulta en una mayor eficiencia y velocidad.
Oxiseleniuro de Bismuto como Material Clave
La diferencia del transistor chino radica en el uso de un nuevo material: oxiseleniuro de bismuto. Este compuesto fue utilizado como semiconductor en el transistor 2D “atómicamente delgado”, según el estudio.
El bismuto presenta ventajas significativas en comparación con el silicio tradicional. Es más flexible y menos frágil. Además, ofrece una mayor movilidad del portador, es decir, los electrones se mueven más rápidamente bajo la acción de un campo eléctrico.
Además, el material tiene una constante dieléctrica elevada, lo que significa una mayor capacidad de almacenar energía eléctrica, contribuyendo a la eficiencia del dispositivo.
Potencial Estratégico para China
Si el nuevo transistor se aplica con éxito en chips, puede representar más que un salto tecnológico.
La creación de un chip basado en este transistor podría superar los productos de las gigantes estadounidenses, como Intel.
Según los investigadores, podría permitir que China evite las limitaciones actuales en la compra de chips avanzados y sortee barreras tecnológicas impuestas por empresas de Estados Unidos.
Un Hito en la Investigación de Transistores
El estudio fue publicado el 13 de febrero en la revista Nature, una de las más importantes del ámbito científico.
El proyecto es descrito como una nueva ruta para el futuro de los chips, rompiendo con el dominio del silicio en la fabricación de semiconductores.
El equipo de la Universidad de Pekín cree que la arquitectura 2D y el material novedoso forman una combinación con potencial para cambiar el sector.
Los científicos destacaron que la arquitectura GAAFET ya era conocida, pero que el uso del bismuto en un diseño bidimensional es la verdadera innovación. El nuevo transistor chino podría, pronto, formar parte de los procesadores más rápidos y eficientes del mundo.
¡Sé la primera persona en reaccionar!