Portugués 
Inglés 
Español 
7 min de lectura 
0 comentarios 
Descubra cómo Intel avanza con la tecnología ZAM, superando límites de la HBM e impulsando el ancho de banda en chips de alto rendimiento para IA.
Intel presentó una propuesta que puede alterar el rumbo de las memorias de alto rendimiento orientadas a la inteligencia artificial. Según información del sitio Adrenaline y otros medios el día 3 de mayo, la llamada tecnología ZAM (Z-Angle Memory) surge como alternativa directa a la HBM, prometiendo hasta 5,3 TB/s de ancho de banda por pila, un salto que puede representar aproximadamente el doble del rendimiento en relación con las soluciones actuales.
Desarrollada en asociación con SoftBank, la innovación será detallada durante el VLSI Symposium 2026, con apoyo de SAIMEMORY, subsidiaria del grupo japonés. La expectativa es que esta arquitectura esté lista para producción entre 2028 y 2030, apuntando directamente a aplicaciones en GPUs y aceleradores de IA, donde la demanda por rendimiento crece de forma acelerada.
Tecnología ZAM de Intel nace para romper límites actuales de ancho de banda
La evolución de la inteligencia artificial exige soluciones cada vez más robustas en memoria. Intel, al invertir en la tecnología ZAM, busca resolver un problema central: la limitación del ancho de banda en los sistemas actuales basados en HBM.
-
Un caricaturista tanzano que nunca estudió ingeniería construyó una camioneta eléctrica artesanal en 11 meses dentro de un pequeño taller; el vehículo reduce el costo diario de combustible hasta en un 87%.
-
Nube arcoíris con tonos de verde, rosa y azul se vuelve viral en Indonesia, revela un raro fenómeno óptico en el cielo y llama la atención porque los colores vistos sobre Bogor no eran un truco de imagen, sino luz solar difractada en gotitas de agua y cristales de hielo.
-
Un estudio confirma por primera vez, con datos de dos décadas, que una masa cálida de agua profunda en el océano Austral se está acercando a la Antártida y amenazando las plataformas de hielo del continente.
-
Anomalía magnética sobre Brasil nació en el Océano Índico hace 900 años, cruzó África hasta instalarse en América del Sur y el detalle más curioso es que este “agujero” en el escudo de la Tierra podría estar repitiendo un trayecto antiguo
Hoy, la HBM domina el segmento de alto rendimiento, especialmente en centros de datos y tarjetas orientadas a la IA. Sin embargo, conforme los modelos se vuelven más complejos y exigentes, surgen cuellos de botella difíciles de sortear. La transferencia de datos necesita ser más rápida, eficiente y estable — y es exactamente en este punto que la propuesta de la nueva generación de chips con ZAM gana fuerza.
La promesa no es solo incremental. Al hablar de hasta 2x más ancho de banda, Intel señala un cambio estructural, capaz de redefinir estándares técnicos en el sector.
Arquitectura vertical de la tecnología ZAM amplía rendimiento y simplifica el diseño
Uno de los puntos más relevantes de la tecnología ZAM está en su construcción. El proyecto utiliza un apilamiento vertical compuesto por 9 capas, siendo 8 dedicadas a la DRAM y una capa central responsable del control lógico.
Este enfoque elimina la necesidad de múltiples controladores distribuidos, algo común en soluciones de HBM. En la práctica, esto significa un sistema más integrado, con menor complejidad operacional y mayor eficiencia en la comunicación interna.
Otro destaque técnico involucra el uso de TSV (Through-Silicon-Via). La arquitectura concentra cerca de 13,7 mil caminos de interconexión, permitiendo que los datos circulen con alta velocidad entre las capas.
Además, la estructura utiliza sustratos de silicio de solo 3 micrómetros entre las capas, reforzando la densidad y contribuyendo directamente al aumento de ancho de banda.
Más datos en menos espacio: densidad y capacidad de la nueva generación de chips
La capacidad de almacenamiento también llama la atención. Cada capa de la tecnología ZAM entrega aproximadamente 1,125 GB, totalizando cerca de 10 GB por pila. En un paquete completo, este número puede llegar a 30 GB, manteniendo alta eficiencia de espacio.
La pila tiene dimensiones de aproximadamente 171 mm² (15,4 x 11,1 mm) y alcanza una densidad estimada de 0,25 Tb/s por mm², un número significativo dentro del contexto actual de memorias avanzadas.
Este nivel de integración es fundamental para la nueva generación de chips, que necesita lidiar con grandes volúmenes de datos en tiempo real. La combinación entre densidad y velocidad refuerza el potencial de Intel en disputar espacio con soluciones basadas en HBM.
Eficiencia energética y control térmico colocan a ZAM por delante de la HBM
Uno de los principales desafíos que enfrenta la **HBM** está relacionado con el calor generado durante el funcionamiento. A medida que se añaden más capas, el calor tiende a concentrarse, afectando directamente el rendimiento y la estabilidad del sistema.
La **tecnología ZAM**, según **Intel** y sus socios, adopta un enfoque diferente. Su arquitectura evita que el calor atraviese la capa de cableado, reduciendo la acumulación térmica y mejorando la disipación.
Además, el consumo energético se optimiza, especialmente en escenarios de alta transferencia de datos. Esto es particularmente relevante en entornos como los centros de datos, donde la eficiencia energética impacta directamente en los costos operativos.
Entre los principales avances destacados:
- Reducción de la acumulación de calor en las capas internas
- Mejor distribución térmica debido al diseño vertical
- Consumo energético más eficiente en transferencias intensivas
- Mayor estabilidad en cargas de trabajo prolongadas
Estos factores refuerzan la competitividad de la **tecnología ZAM** frente a la **HBM**, especialmente en aplicaciones críticas.
La comparación técnica evidencia una disputa directa entre ZAM y HBM
La llegada de la **tecnología ZAM** intensifica la disputa con la **HBM**, especialmente con las futuras versiones como HBM4 y HBM4E. Aunque estas evoluciones aún están en desarrollo, la propuesta de **Intel** ya presenta cifras significativas.
Entre los principales puntos de comparación:
- Ancho de banda: ZAM puede alcanzar hasta el doble de la HBM actual
- Densidad: aproximadamente 0,25 Tb/s/mm²
- Capacidad por paquete: hasta 30 GB
- Arquitectura: apilamiento vertical con controlador unificado
- Interconexión: 13,7 mil vías TSV
Además, ZAM utiliza un modelo de empaquetado descrito como **3.5D**, que combina elementos tridimensionales con integración horizontal. Este formato permite incluir características como fotónica de silicio y conexiones avanzadas de entrada y salida.
Este conjunto de características posiciona la solución como una fuerte candidata para aplicaciones de alta exigencia en la **nueva generación de chips**.
Impacto directo en el avance de la inteligencia artificial y las GPU modernas
La evolución de la inteligencia artificial depende directamente de la capacidad de mover grandes volúmenes de datos rápidamente. En este escenario, el **ancho de banda** se convierte en un factor crítico.
**Intel**, al invertir en la **tecnología ZAM**, busca satisfacer una demanda creciente de rendimiento en aplicaciones como IA generativa, análisis de datos a gran escala y simulaciones complejas.
Hoy en día, la **HBM** ya desempeña un papel esencial en este ecosistema, pero enfrenta limitaciones que pueden hacerse más evidentes con el avance de las cargas de trabajo. ZAM surge como una posible solución a este desafío.
Entre los impactos esperados:
- Entrenamiento más rápido de modelos de IA
- Reducción de la latencia en el procesamiento de datos
- Mejor rendimiento en GPU de última generación
- Mayor eficiencia en infraestructuras de centros de datos
Con esto, la **nueva generación de chips** puede alcanzar niveles de rendimiento sin precedentes, impulsados por la evolución de la memoria.
Qué esperar de la tecnología ZAM en los próximos años
A pesar de su prometedor potencial, la **tecnología ZAM** aún está en fase de desarrollo. **Intel**, junto con SoftBank y SAIMEMORY, trabaja para validar la arquitectura y garantizar su viabilidad a escala industrial.
La previsión de producción entre **2028 y 2030** indica que aún quedan desafíos por superar. La adopción dependerá de factores como la compatibilidad con los sistemas existentes, los costos de fabricación y la aceptación del mercado.
La presentación en el VLSI Symposium 2026 será un paso importante para consolidar la propuesta y demostrar su funcionamiento en condiciones reales.
Incluso con incertidumbres, el movimiento de la Intel refuerza una tendencia clara: la búsqueda de soluciones que amplíen el ancho de banda sin comprometer la eficiencia energética y la estabilidad.
Un cambio silencioso que puede redefinir el futuro de los chips
La llegada de la tecnología ZAM representa más que una evolución incremental. Se trata de un intento concreto de Intel de reposicionar su actuación en un mercado altamente competitivo, dominado por soluciones basadas en HBM.
Al proponer una arquitectura capaz de entregar hasta 5,3 TB/s por pila, con mejoras en disipación térmica y consumo energético, la empresa apunta a un futuro donde la nueva generación de chips será más eficiente, rápida y adaptada a las demandas de la inteligencia artificial.
Aunque el camino hacia la adopción a gran escala implique desafíos técnicos y comerciales, los primeros datos indican que ZAM tiene el potencial de convertirse en un nuevo estándar. Si esto se confirma, el impacto se sentirá en toda la industria, desde los centros de datos hasta las aplicaciones de computación más avanzadas.
Con información de Adrenaline.
¡Sé la primera persona en reaccionar!